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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网

10a工艺完成晶圆生产，并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。DRAM节点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。          工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。

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sBritain's Prime Minister Keir Starmer welcomes Rob Jetten, Prime Minister of the Netherlands, to 10 Downing Street in London, Tuesday, April 14, 2026.(AP Photo/Kirsty Wigglesworth, Pool) WPA POOL PHO

RAM领域重大突破，全球首次成功产出10a级工作晶片（working die），标志着个位数纳米级DRAM制造实现从无到有。          据行业信息，三星上月运用10a工艺完成晶圆生产，并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。DRAM节点序列中，10

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